ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ECH8695R-TL-W, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 11 А, 24 В, 0.007 Ом, 4.5 В, 1.3 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
ECH8695R-TL-W, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 11 А, 24 В, 0.…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ECH8695R-TL-W, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 11 А, 24 В, 0.007 Ом, 4.5 В, 1.3 В
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
ECH8695R-TL-W
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1811332
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-28FL
Рассеиваемая Мощность
1.4Вт
Полярность Транзистора
Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
24В
Непрерывный Ток Стока
11А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.007Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
1.3В
Вес, г
0.071