DXT3150-13, Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А, 1 Вт, SOT-89, Surface Mount, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 75 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Рейтинг воспламеняемости UL94V-0
• Эпитаксиальная планарная конструкция штампа
• Экологичное устройство
• От -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DXT3150-13

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1206756

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

25В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-89

Рассеиваемая Мощность

1Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

5а

DC Усиление Тока hFE

250hFE

Частота Перехода ft

220МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.11

Number of Elements per Chip

Pin Count

Minimum DC Current Gain

50@5A@2V|250@500mA@2V|150@2A@2V

Pd - рассеивание мощности

1000 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.5 mm

Длина

4.5 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

50 at 5 A, 2 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

5 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

25 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

7 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

DXT3150

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-89-3

Ширина

2.48 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

220 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

500 mV

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Power

Configuration

Single Dual Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.1@150mA@3A|1.4@200mA@4A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.35@150mA@3A|0.5@200mA@4A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

1000

Maximum Power Dissipation (mW)

1000

Maximum Transition Frequency (MHz)

220(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-89

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.6(Max)

Package Length

4.6(Max)

Package Width

2.6(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Flat

Техническая документация

Datasheet DXT3150-13 , pdf , 166 КБ
Datasheet DXT3150-13 , pdf , 200 КБ

DXT3150-13, Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А, 1 Вт, SOT-89, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 75 руб.

Техническая документация