ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DTD123TKT146, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 40 В, 500 мА, 2.2 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
DTD123TKT146, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
DTD123TKT146, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 40 В, 500 мА, 2.2 кОм
Последняя цена
84 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 500MA
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
DTD123TKT146
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1206090
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Количество Выводов
3 Вывода
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
40В
Полярность Транзистора
NPN
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.03
Base Product Number
DTD123 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
200MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SMT3
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
Линейка Продукции
DTD123T Series
Корпус РЧ Транзистора
sot-346
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.1 mm
Длина
2.9 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
100
Конфигурация
Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
500 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DTD123TK
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SC-59-3
Ширина
1.6 mm
Другие названия товара №
DTD123TK
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
600
Simulation Models
http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Other Related Documents
http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Резистор На входе Базы R1
2.2кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
500мА
Полярность Цифрового Транзистора
Одиночный NPN
Пиковый постоянный ток коллектора
500 mA
Типичное входное сопротивление
2.2 kOhms
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Техническая документация
Datasheet DTD123TKT146 , pdf
, 285 КБ
Datasheet DTD123TKT146 , pdf
, 262 КБ
Datasheet DTD123TKT146 , pdf
, 387 КБ