ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DTD114GKT146, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 500 мА, 10 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
DTD114GKT146, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
DTD114GKT146, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 500 мА, 10 кОм
Последняя цена
55 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 500MA
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
DTD114GKT146
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1206086
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Количество Выводов
3 Вывода
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Полярность Транзистора
NPN
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.032
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Линейка Продукции
DTD114GK Series
Корпус РЧ Транзистора
sot-346
Maximum DC Collector Current
500mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
200mW
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.1 mm
Длина
2.9 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
56
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
500 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DTD114GK
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SC-59-3
Ширина
1.6 mm
Другие названия товара №
DTD114GK
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
500мА
Резистор База-эмиттер R2
10кОм
Полярность Цифрового Транзистора
Одиночный NPN
Пиковый постоянный ток коллектора
500 mA
Типичное входное сопротивление
10 kOhms
Техническая документация
Datasheet DTD114GKT146 , pdf
, 1059 КБ
Datasheet DTD114GKT146 , pdf
, 266 КБ
Datasheet , pdf
, 289 КБ