ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DTC143TEBTL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
DTC143TEBTL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 5…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
DTC143TEBTL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм
Последняя цена
32 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 МГц 150 мВт EMT3 для поверхностного монтажа
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
DTC143TEBTL
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1206041
Технические параметры
Количество Выводов
3 Вывода
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.032
Base Product Number
DTC143 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-75, SOT-416
Power - Max
150mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
EMT3
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Линейка Продукции
DTC143T Series
Корпус РЧ Транзистора
SOT-416FL
Simulation Models
http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Other Related Documents
http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Резистор На входе Базы R1
4.7кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100мА
Полярность Цифрового Транзистора
Одиночный NPN
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1449 КБ
Datasheet , pdf
, 2061 КБ