ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DTC123JET1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
DTC123JET1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 5…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
DTC123JET1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм
Последняя цена
35 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
DTC123JET1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1206006
Технические параметры
Количество Выводов
3 Вывода
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.03
Корпус РЧ Транзистора
SC-75
Резистор На входе Базы R1
2.2кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R2
0.047соотношение
Резистор База-эмиттер R2
47кОм
Полярность Цифрового Транзистора
Одиночный NPN
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 105 КБ