ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DTC023JEBTL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
DTC023JEBTL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 5…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
DTC023JEBTL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм
Последняя цена
23 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Digital Transtr w/built in resistors
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
DTC023JEBTL
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1205952
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Количество Выводов
3 Вывода
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Полярность Транзистора
NPN
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.03
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Линейка Продукции
dtc023j series
Корпус РЧ Транзистора
SOT-416FL
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
150mW
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DTC023JEB
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
EMT-3
Другие названия товара №
DTC023JEB
Максимальная рабочая частота
250 MHz
Резистор На входе Базы R1
2.2кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R2
0.05соотношение
Резистор База-эмиттер R2
47кОм
Полярность Цифрового Транзистора
Одиночный NPN
Выходное напряжение
70 mV
Канальный режим
Enhancement
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
21
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1392 КБ
Datasheet DTC023JEBTL , pdf
, 1398 КБ
Datasheet , pdf
, 1420 КБ