ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DTA123YETL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 2.2 кОм, 10 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
DTA123YETL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -5…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
DTA123YETL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 2.2 кОм, 10 кОм
Последняя цена
66 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP 50V 100MA
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
DTA123YETL
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1205884
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Количество Выводов
3 Вывода
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-50В
Полярность Транзистора
PNP
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.032
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Линейка Продукции
DTA123Y Series
Корпус РЧ Транзистора
SOT-416
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
150mW
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.7 mm
Длина
1.6 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
33
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DTA123YE
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SC-59-3
Ширина
0.8 mm
Другие названия товара №
DTA123YE
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
33
Резистор На входе Базы R1
2.2кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
-100мА
Резистор База-эмиттер R2
10кОм
Полярность Цифрового Транзистора
Одиночный PNP
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
4.5
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1578 КБ
Datasheet DTA123YETL , pdf
, 1587 КБ