DTA123JEBHZGTL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 38 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP SOT-416FL 2.2kO Input Resist

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

DTA123JEBHZGTL

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1205880

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

3 Вывода

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-50В

Полярность Транзистора

PNP

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.01

Base Product Number

DTA123 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

250MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-89, SOT-490

Power - Max

150mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

EMT3F (SOT-416FL)

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250ВµA, 5mA

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Корпус РЧ Транзистора

SOT-416FL

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-416FL-3

Другие названия товара №

DTA123JEBHZG

Квалификация

AEC-Q101

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Резистор На входе Базы R1

2.2кОм

Непрерывный Коллекторный Ток Ic

-100мА

Соотношение Сопротивления, R1 / R2

0.0468соотношение

Резистор База-эмиттер R2

47кОм

Полярность Цифрового Транзистора

Одиночный PNP

Выходное напряжение

100 mV

Типичное входное сопротивление

2.2 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms

Техническая документация

Datasheet DTA123JEBHZGTL , pdf , 814 КБ
Datasheet DTA123JEBHZGTL , pdf , 813 КБ

DTA123JEBHZGTL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики

Последняя цена 38 руб.

Техническая документация