ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DSS5540X-13, Транзистор PNP, биполярный, 40В, 4А, 900мВт, SOT89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DSS5540X-13, Транзистор PNP, биполярный, 40В, 4А, 900мВт, SOT89
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
DSS5540X-13, Транзистор PNP, биполярный, 40В, 4А, 900мВт, SOT89
Последняя цена
16 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS PNP
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
DSS5540X-13
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2193871
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.1
Base Product Number
DSS5540 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
4A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 2A, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
60MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-243AA
Power - Max
900mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
375mV @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
Number of Elements per Chip
1
Maximum DC Collector Current
4A
Pin Count
4
Minimum DC Current Gain
250@0.5A@2V|150@2A@2V|50@5A@2V|200@1A@2V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Pd - Power Dissipation
900mW
Pd - рассеивание мощности
900 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
250 at - 500 mA at - 2 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
10 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
4 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
DSS55
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-89-3
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
60 MHz
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Product Category
Bipolar Power
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
40
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
40
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.1@200mA@4A|1.2@500mA@5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.12@5mA@0.5A|0.34@200mA@4A|0.375@500mA@5A|0.17@10mA@1A|0.16@200mA@2A
Maximum DC Collector Current (A)
4
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Maximum Transition Frequency (MHz)
60(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
Yes
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-89
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.6(Max)
Package Length
4.6(Max)
Package Width
2.6(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Flat
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet DSS5540X-13 , pdf
, 365 КБ
Datasheet , pdf
, 128 КБ