ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
Транзистор DMP4025LSD-13 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
Транзистор DMP4025LSD-13
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Транзистор DMP4025LSD-13
Последняя цена
14 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы\Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
МОП-транзистор P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -7.6A
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
DMP4025LSD-13
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2472916
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
P-Channel
Максимальный непрерывный ток стока
5,8 A
Максимальное рассеяние мощности
2,14 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
3.95мм
Высота
1.5мм
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
45 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Id - непрерывный ток утечки
7.6 A
Pd - рассеивание мощности
1.25 W
Qg - заряд затвора
33.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
800 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
14.7 ns
Время спада
30.9 ns
Длина
4.95мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
16.6 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
DMP4025
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
2 P-Channel
Типичное время задержки выключения
53,7 нс
Типичное время задержки при включении
6.9 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SO-8
Тип корпуса
SOIC
Размеры
4.95 x 3.95 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
6.9 ns
Производитель
DiodesZetex
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
33.7 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1640 пФ при -20 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet DMP4025LSD-13 , pdf
, 294 КБ
Datasheet DMP4025LSD-13 , pdf
, 287 КБ