DMN90H8D5HCT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 2,5А, 125Вт, TO220AB, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 900V 2.5A (Tc) 125W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DMN90H8D5HCT

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2089964

Технические параметры

Вес, г

0.5

Mounting Type

Through Hole

Base Product Number

DMN90 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet DMN90H8D5HCT , pdf , 535 КБ
Datasheet DMN90H8D5HCT , pdf , 603 КБ

DMN90H8D5HCT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 2,5А, 125Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация