DMN67D8L-7, Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2.2 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DMN67D8L-7

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2412518

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

DMN67 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

210mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.82nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

340mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

210 mA

Pd - рассеивание мощности

340 mW

Qg - заряд затвора

821 pC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.5 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3 ns

Время спада

5.6 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

80 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

DMN67

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

7.6 ns

Типичное время задержки при включении

2.8 ns

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-23-3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

210mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

340mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet DMN67D8L-7 , pdf , 706 КБ
Datasheet DMN67D8L-7 , pdf , 508 КБ
Datasheet DMN67D8L-7 , pdf , 526 КБ

DMN67D8L-7, Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 2.2 руб.

Техническая документация