DMN65D8LW-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,26А, 0,3Вт, SOT323, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 63 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DMN65D8LW-7

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087310

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Brand

DiodesZetex

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Width

1.35mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

DMN65

Торговая марка

Diodes Incorporated

Id - непрерывный ток утечки

300 mA

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

80 mS

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-323-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Power Dissipation

432 mW

Maximum Drain Source Resistance

4 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

0.87 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Qg - заряд затвора

870 pC

Время нарастания

2.8 ns

Время спада

7.3 ns

Типичное время задержки выключения

12.6 ns

Типичное время задержки при включении

2.7 ns

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet DMN65D8LW-7 , pdf , 238 КБ

DMN65D8LW-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,26А, 0,3Вт, SOT323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 63 руб.

Техническая документация