ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMN55D0UT-7, Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMN55D0UT-7, Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMN55D0UT-7, Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
Последняя цена
4.4 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор .2W 50V .16A
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
DMN55D0UT-7
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2409020
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Ширина
0.8 mm
Высота
0.75 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
3
Id - непрерывный ток утечки
160 mA
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Qg - заряд затвора
295 pC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
50 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
700 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
1.6 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
180 mS
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DMN55
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-523-3
Продукт
MOSFET Small Signal
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
0.16
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
4000@4V
Maximum Drain Source Voltage (V)
50
Maximum Gate Source Voltage (V)
±12
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
200
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Small Signal
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-523
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
25@10V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
636@8V|295@4V
Typical Fall Time (ns)
11
Typical Rise Time (ns)
4.4
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
23.4
Typical Turn-On Delay Time (ns)
6
Automotive
No
Military
No
Package Height
0.75
Package Length
1.6
Package Width
0.8
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
1
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
5000
Maximum IDSS (uA)
1
Supplier Temperature Grade
Automotive
Техническая документация
Datasheet DMN55D0UT-7 , pdf
, 431 КБ
Datasheet DMN55D0UT-7 , pdf
, 440 КБ
Datasheet DMN55D0UT-7 , pdf
, 472 КБ