DMN4036LK3-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 9,4А, 4,12Вт, TO252, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 66 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DMN4036LK3-13

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2083562

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Brand

DiodesZetex

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.39mm

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

DPAK (TO-252)

Width

6.22mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

DMN40

Торговая марка

Diodes Incorporated

Id - непрерывный ток утечки

12.2 A

Pd - рассеивание мощности

4.12 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

19.6 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

26 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

12.2 A

Maximum Power Dissipation

8.49 W

Maximum Drain Source Resistance

61 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

9.2 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Qg - заряд затвора

9.2 nC

Время нарастания

11.7 ns

Время спада

9.5 ns

Типичное время задержки выключения

11.6 ns

Типичное время задержки при включении

3.2 ns

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet DMN4036LK3-13 , pdf , 646 КБ

DMN4036LK3-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 9,4А, 4,12Вт, TO252 - характеристики, поставщики

Последняя цена 66 руб.

Техническая документация