DMN32D2LFB4-7, Транзистор, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 84 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный полевой МОП-транзистор, 30 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DMN32D2LFB4-7

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1811286

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.24

Максимальный непрерывный ток стока

300 mA

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

0.65мм

Высота

0.35мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2.2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

1.05мм

Типичное время задержки выключения

51 нс

Тип корпуса

DFN

Размеры

1.05 x 0.65 x 0.35мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

11 ns

Производитель

DiodesZetex

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичная входная емкость при Vds

39 пФ при 3 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 V, +10 V

Техническая документация

Datasheet DMN32D2LFB4-7 , pdf , 557 КБ
Datasheet DMN32D2LFB4-7 , pdf , 546 КБ

DMN32D2LFB4-7, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 84 руб.

Техническая документация