DMN1004UFV-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 12В, 55А, 0,9Вт, PowerDI®3333-8, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 65 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DMN1004UFV-7

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2101321

Технические параметры

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

PowerDI 3333

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.06

Mounting Type

Surface Mount

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2000

Торговая марка

Diodes Incorporated

Id - непрерывный ток утечки

70 A

Pd - рассеивание мощности

1.9 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

12 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N Канал

Упаковка / блок

PowerDI3333-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

DMN1004 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

8-PowerVDFN

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PowerDI3333-8 (Type UX)

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.8 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

8 V, + 8 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

300 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

70A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2385pF @ 6V

Power Dissipation (Max)

1.9W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 4.5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250ВµA

Qg - заряд затвора

47 nC

Время нарастания

10.7 ns

Время спада

16.9 ns

Типичное время задержки выключения

31.6 ns

Типичное время задержки при включении

5.3 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 8V

Transistor Mounting

Surface Mount

Напряжение Измерения Rds(on)

4.5В

Напряжение Истока-стока Vds

12В

Непрерывный Ток Стока

70А

Пороговое Напряжение Vgs

1В

Рассеиваемая Мощность

900мВт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0028Ом

Техническая документация

Datasheet DMN1004UFV-7 , pdf , 331 КБ
Datasheet DMN1004UFV-7 , pdf , 370 КБ

DMN1004UFV-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 12В, 55А, 0,9Вт, PowerDI®3333-8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 65 руб.

Техническая документация