DMG301NU-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 0,23А, 0,4Вт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DMG301NU-13

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2116672

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-23

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.1

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Brand

Diodes Incorporated

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Configuration

Single

Packaging

Cut Tape or Reel

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

10000

Серия

DMG301

Торговая марка

Diodes Incorporated

Id - непрерывный ток утечки

260 mA

Pd - рассеивание мощности

320 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

25 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Package / Case

SOT-23-3

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

700 mV

Канальный режим

Enhancement

Technology

Series

DMG301

Channel Mode

Enhancement

Typical Turn-On Delay Time

2.9 ns

Typical Turn-Off Delay Time

6.6 ns

Qg - заряд затвора

360 pC

Время нарастания

1.8 ns

Время спада

2.3 ns

Типичное время задержки выключения

6.6 ns

Типичное время задержки при включении

2.9 ns

Rds On - Drain-Source Resistance

4 Ohms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

25 V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5 V

Transistor Mounting

Surface Mount

Напряжение Измерения Rds(on)

4.5В

Напряжение Истока-стока Vds

25В

Непрерывный Ток Стока

260мА

Пороговое Напряжение Vgs

1.1В

Рассеиваемая Мощность

320мВт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

4Ом

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Product Category

MOSFET

Pd - Power Dissipation

320 mW

Factory Pack Quantity

10000

Fall Time

2.3 ns

Id - Continuous Drain Current

260 mA

Manufacturer

Diodes Incorporated

Mounting Style

SMD/SMT

Number Of Channels

1 Channel

Product Type

MOSFET

Qg - Gate Charge

360 pC

Rise Time

1.8 ns

Subcategory

MOSFETs

Transistor Type

1 N-Channel

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage

700 mV

Unit Weight

0.000282 oz

Forward Transconductance - Min

1 S

Техническая документация

Datasheet DMG301NU-13 , pdf , 504 КБ
Datasheet , pdf , 460 КБ

DMG301NU-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 0,23А, 0,4Вт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация