DMG2301L-7, P-Channel Enhancement Mode MOSFET - характеристики, поставщики

DMG2301L-7, P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Последняя цена 4.1 руб.

DMG2301L-7, P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Сравнить

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DMG2301L-7

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2412517

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3A

Rds On - Drain-Source Resistance

120 mО© @ 2.8A,4.5V

Transistor Polarity

P Trench

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.2V @ 250uA

Pd - Power Dissipation

1.5W

Техническая документация

Datasheet DMG2301L-7 , pdf , 528 КБ
Datasheet , pdf , 528 КБ