ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMG1023UV-7, Транзистор MOSFET 2P-CH 20В 1.03A SOT-563 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMG1023UV-7, Транзистор MOSFET 2P-CH 20В 1.03A SOT-563
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMG1023UV-7, Транзистор MOSFET 2P-CH 20В 1.03A SOT-563
Последняя цена
15 руб.
Сравнить
Описание
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
DMG1023UV-7
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819701
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-563
Рассеиваемая Мощность
530мВт
Полярность Транзистора
Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-20В
Непрерывный Ток Стока
-1.03А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.5Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
-1В
Вес, г
5
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet DMG1023UV-7 , pdf
, 225 КБ
Datasheet DMG1023UV-7 , pdf
, 227 КБ
Datasheet , pdf
, 267 КБ