ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DGTD65T50S1PT, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DGTD65T50S1PT, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
DGTD65T50S1PT, IGBT
Последняя цена
520 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
DGTD65T50S1PT
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1201721
Технические параметры
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
DiodesZetex
Package / Case
TO-247-3
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 A, 200(Pulsed)A
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 C
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Емкость затвора
4453пФ
Максимальная рабочая температура
+175 C
Страна происхождения
CN
Конфигурация
Single
Configuration
Single
Количество транзисторов
1
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Continuous Collector Current At 25 C
100 A
Continuous Collector Current Ic Max
100 A
Factory Pack Quantity
450
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Manufacturer
Diodes Incorporated
Mounting Style
Through Hole
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
375 W
Product Category
IGBT Transistors
Product Type
IGBT Transistors
Subcategory
IGBTs
Technology
Si
Unit Weight
0.197534 oz
Pd - рассеивание мощности
375 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
100 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
100 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
450
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Техническая документация
Datasheet DGTD65T50S1PT , pdf
, 1697 КБ
Datasheet DGTD65T50S1PT , pdf
, 1641 КБ
