DGTD120T25S1PT, IGBT, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 570 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DGTD120T25S1PT

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1201719

Технические параметры

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

DiodesZetex

Package / Case

TO-247-3

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 В

Maximum Continuous Collector Current

50 A, 100 (Pulsed) A

Maximum Power Dissipation

348 Вт

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Gate Capacitance

3942пФ

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A, 100(Pulsed)A

Максимальное рассеяние мощности

348 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 C

Число контактов

Размеры

16.26 x 5.31 x 21.46мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Емкость затвора

3942пФ

Максимальная рабочая температура

+175 C

Страна происхождения

Configuration

Single

Количество транзисторов

Number of Transistors

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Continuous Collector Current At 25 C

50 A

Continuous Collector Current Ic Max

50 A

Factory Pack Quantity

450

Gate-Emitter Leakage Current

250 nA

Manufacturer

Diodes Incorporated

Mounting Style

Through Hole

Packaging

Tube

Pd - Power Dissipation

348 W

Product Category

IGBT Transistors

Product Type

IGBT Transistors

Subcategory

IGBTs

Technology

Unit Weight

0.197534 oz

Техническая документация

Datasheet DGTD120T25S1PT , pdf , 1690 КБ
Datasheet , pdf , 1627 КБ

DGTD120T25S1PT, IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 570 руб.

Техническая документация