DF11MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 50 А, 1.2 кВ, 0.0225 Ом, Module - характеристики, поставщики



DF11MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 50 А, 1.2 кВ, 0.0225 Ом, Module

Последняя цена 20150 руб.
DF11MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 50 А, 1.2 кВ, 0.0225 Ом, Module

Техническая документация
  • Datasheet , pdf , 513 КБ
  • Datasheet DF11MR12W1M1PB11BPSA1 , pdf , 543 КБ