DF11MR12W1M1B11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Канал, 50 А, 1.2 кВ, 0.0225 Ом, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 16920 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

• Высокая плотность тока
• Низкоиндуктивная конструкция
• Встроенный датчик температуры NTC
• Контактная технология Press FIT
• Надежный монтаж благодаря встроенным монтажным зажимам

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

DF11MR12W1M1B11BPSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1200378

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

50А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0225Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Вес, г

22.68

MOSFET Configuration

Half Bridge

Линейка Продукции

EasyPACK CoolSiC Series

Series

CoolSiCв„ў+ ->

Минимальная рабочая температура

40 C

Base Product Number

DF11MR12 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

50A (Tj)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

124nC @ 15V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3680pF @ 800V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

Module

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.5mOhm @ 50A, 15V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

AG-EASY1BM-2

Vgs(th) (Max) @ Id

5.55V @ 20mA

FET Feature

Silicon Carbide (SiC)

Power - Max

20mW

Id - непрерывный ток утечки

50 A

Pd - рассеивание мощности

20 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

33 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V, 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.45 V

Вид монтажа

Screw Mount

Время нарастания

9.6 ns

Время спада

12 ns

Другие названия товара №

DF11MR12W1M1_B11 SP003094734

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Коммерческое обозначение

EasyPACK ~ CoolSiC ~ PressFIT

Конфигурация

Dual

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Серия

Discrete Module

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Типичное время задержки выключения

43.5 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

AG-EASY1BM-2

Продукт

Power MOSFET Modules

Тип

SiC Power MOSFET

Упаковка

Tray

Vr - обратное напряжение

1200 V

Vf - прямое напряжение

4.6 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 82 КБ
Datasheet DF11MR12W1M1B11BPSA1 , pdf , 543 КБ

DF11MR12W1M1B11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Канал, 50 А, 1.2 кВ, 0.0225 Ом, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 16920 руб.

Техническая документация