ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DDTC114ECA-7-F, Транзистор: NPN; биполярный - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DDTC114ECA-7-F, Транзистор: NPN; биполярный
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
DDTC114ECA-7-F, Транзистор: NPN; биполярный
Последняя цена
9 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Цифровые транзисторы с двумя резисторами, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
DDTC114ECA-7-F
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1199714
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.01
Base Product Number
DDTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Transistor Configuration
Single
Brand
DiodesZetex
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
200 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4mm
Maximum DC Collector Current
100mA
Height
1.1mm
Pin Count
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Minimum DC Current Gain
30
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
200mW
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип транзистора
NPN
Высота
1.1мм
Количество элементов на ИС
1
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Maximum Continuous Collector Current
50 mA
Максимальный непрерывный ток коллектора
50 мА
Typical Input Resistor
10 kΩ
Типичный входной резистор
10 кΩ
Typical Resistor Ratio
1
Типичный коэффициент резистора
1
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 306 КБ
Datasheet , pdf
, 249 КБ