D45H11G, Транзистор, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 81 руб.

Сравнить

Описание

• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер
• Высокая скорость переключения
• Дополнительные пары упрощают конструкцию

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

D45H11G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1198140

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Transistor Configuration

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

PNP

Размеры

9.28 x 10.28 x 4.82мм

Высота

9.28мм

Длина

10.28мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

4.82мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 V

Максимальный пост. ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

40 МГц

Число контактов

Тип корпуса

TO-220AB

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

-40

Техническая документация

Datasheet , pdf , 98 КБ
Datasheet , pdf , 95 КБ
Datasheet , pdf , 103 КБ

D45H11G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 81 руб.

Техническая документация