ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
D2081UK.F транзистор, N-Channel MOSFET, 200 mA, 65 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Semelab
D2081UK.F транзистор, N-Channel MOSFET, 200 mA, 65 V, 3 + Tab-Pin SOT-…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
D2081UK.F транзистор, N-Channel MOSFET, 200 mA, 65 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
Последняя цена
1110 руб.
Сравнить
Описание
RF MOSFET-транзисторы, Semelab
Информация
Производитель
Semelab
Артикул
D2081UK.F транзистор
P/N
D2081UK.F
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1745099
Технические параметры
Вес, г
5
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-223
Transistor Material
Si
Length
6.7mm
Brand
Semelab
Series
TetraFET
Pin Count
3 + Tab
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Power Dissipation
2 W
Width
3.7mm
Height
1.7mm
Maximum Drain Source Voltage
65 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Category
RF MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
12 pF@ 0 V