CSD87503Q3ET, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 10 А, 0.0135 Ом, VSON, Surface Mount, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 84 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

МОП-транзистор 30-V Dual N-Channel МОП-транзистор

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD87503Q3ET

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1193495

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

VSON

Рассеиваемая Мощность

15.6Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

10а

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0135Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1.7В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

2.3

Линейка Продукции

NexFET Series

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Series

NexFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

CSD87503 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

10A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual) Common Source

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 4.5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 15V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

8-PowerVDFN

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-VSON (3.3x3.3)

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 250ВµA

FET Feature

Standard

Power - Max

15.6W

Id - непрерывный ток утечки

10 A

Pd - рассеивание мощности

15.6 W

Qg - заряд затвора

42.8 nC, 42.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

17.3 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.3 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

40 ns, 40 ns

Время спада

8 ns, 8 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

24 S, 24 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

250

Серия

CSD87503Q3E

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения

25 ns, 25 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns, 10 ns

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

VSON-8

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

Техническая документация

Datasheet CSD87503Q3ET , pdf , 1056 КБ

CSD87503Q3ET, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 10 А, 0.0135 Ом, VSON, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 84 руб.

Техническая документация