CSD86336Q3DT, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 25 В, VSON, Surface Mount, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 140 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Mosfet Array 2, N-канал (полумост), 25 В, 20 А (Ta), 6 Вт, поверхностный монтаж, 8-VSON (3,3x3,3)

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD86336Q3DT

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1193489

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

125 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

VSON

Рассеиваемая Мощность

6Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

25В

Пороговое Напряжение Vgs

1.5В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.012

Линейка Продукции

NexFET Series

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Series

NexFETв„ў ->

Base Product Number

CSD86336Q3 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Half Bridge)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 125В°C

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

8-PowerTDFN

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-VSON (3.3x3.3)

Vgs(th) (Max) @ Id

1.9V @ 250ВµA, 1.6V @ 250ВµA

FET Feature

Logic Level Gate, 5V Drive

Power - Max

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

CSD86336Q3DT, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 25 В, VSON, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 140 руб.