CSD85302LT, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 7 А, 0.024 Ом, LGA, Surface Mount, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 47 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

МОП-транзистор 20V Dual N ch МОП-транзистор

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD85302LT

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1193488

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

LGA

Рассеиваемая Мощность

1.7Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

20В

Непрерывный Ток Стока

7А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.024Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

4.5В

Пороговое Напряжение Vgs

900мВ

Transistor Mounting

Surface Mount

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Ширина

1.35 mm

Высота

0.22 mm

Series

NexFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

CSD85302 ->

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

4-XFLGA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

4-Picostar (1.31x1.31)

FET Feature

Standard

Power - Max

1.7W

Id - непрерывный ток утечки

7 A

Pd - рассеивание мощности

1.7 W

Qg - заряд затвора

6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

24 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V, + 10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

680 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

54 ns

Время спада

99 ns

Длина

1.35 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Dual

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

250

Серия

CSD85302L

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения

173 ns

Типичное время задержки при включении

37 ns

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

PICOSTAR-4

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

Техническая документация

Datasheet , pdf , 444 КБ

CSD85302LT, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 7 А, 0.024 Ом, LGA, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 47 руб.

Техническая документация