CSD19537Q3T, Транзистор, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 211 руб.

Сравнить

Описание

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD19537Q3T

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1815953

Технические параметры

Вес, г

0.363

Length

3.4mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Texas Instruments

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

3.4mm

Height

1.1mm

Число контактов

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Package Type

VSON-CLIP

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

53 A

Minimum Gate Threshold Voltage

2.6V

Максимальное сопротивление сток-исток

16.6 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Maximum Power Dissipation

83 W

Series

NexFET

Typical Gate Charge @ Vgs

44 nC

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Forward Diode Voltage

Максимальное пороговое напряжение включения

3.6V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 776 КБ

CSD19537Q3T, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 211 руб.

Техническая документация