CSD19535KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 150А; 300Вт; TO220-3, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 529 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 100V N-CH NexFET Pwr МОП-транзистор

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD19535KCS

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1743517

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.973

Ширина

4.7 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

CSD19535KCS

Торговая марка

Texas Instruments

Длина

10.67 mm

Высота

16.51 mm

Id - непрерывный ток утечки

187 A

Pd - рассеивание мощности

300 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

274 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.6 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.2 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

78 nC

Время нарастания

15 ns

Время спада

5 ns

Коммерческое обозначение

NexFET

Типичное время задержки выключения

60 ns

Типичное время задержки при включении

32 ns

Техническая документация

Datasheet CSD19535KCS , pdf , 799 КБ

CSD19535KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 150А; 300Вт; TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 529 руб.

Техническая документация