CSD19506KCS, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 100 А, 0.002 Ом, TO-220, Through Hole, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 850 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD19506KCS

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1193476

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-220

Рассеиваемая Мощность

375Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

80В

Непрерывный Ток Стока

100А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.002Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2.5В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

4.074

Максимальный непрерывный ток стока

273 A

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7мм

Высота

16.51мм

Количество элементов на ИС

Series

NexFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

CSD19506 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

12200pF @ 40V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

375W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.2V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

200 A

Pd - рассеивание мощности

375 W

Qg - заряд затвора

120 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.3 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

80 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

11 ns

Время спада

10 ns

Длина

10.67мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

297 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

NexFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

30 нс

Типичное время задержки при включении

19 ns

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.67 x 4.7 x 16.51мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

19 ns

Производитель

Texas Instruments

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

120 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

9380 пФ при 40 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

Техническая документация

Datasheet CSD19506KCS , pdf , 381 КБ
Datasheet CSD19506KCS , pdf , 477 КБ

CSD19506KCS, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 100 А, 0.002 Ом, TO-220, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 850 руб.

Техническая документация