CSD19503KCS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 100А, 188Вт, TO220-3, NexFET™, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 80V 100A (Ta) 188W (Tc) сквозное отверстие TO-220-3

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD19503KCS

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2180266

Технические параметры

Вес, г

1.97

Mounting Type

Through Hole

Base Product Number

CSD19503 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2730pF @ 40V

Power Dissipation (Max)

188W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.2mOhm @ 60A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 250ВµA

Series

NexFETв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

CSD19503KCS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 100А, 188Вт, TO220-3, NexFET™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.