CSD18563Q5A, Транзистор, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 221 руб.

Сравнить

Описание

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD18563Q5A

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1810288

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

5мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

10,8 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5.8мм

Серия

NexFET

Типичное время задержки выключения

11.4 ns

Тип корпуса

VSON-FET

Размеры

5.8 x 5 x 1.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

3,2 нс

Производитель

Texas Instruments

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1150 пФ при 30 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet CSD18563Q5AT , pdf , 818 КБ

CSD18563Q5A, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 221 руб.

Техническая документация