CSD18542KTTT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 200А, 250Вт, D2PAK, NexFET™, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 460 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 60V N-Channel NexFET Pwr МОП-транзистор

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD18542KTTT

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2186425

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

10.26

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

CSD18542KTT

Торговая марка

Texas Instruments

Длина

9.25 mm

Высота

4.7 mm

Id - непрерывный ток утечки

200 A

Pd - рассеивание мощности

250 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

198 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

CSD18542 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

2 (1 Year)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-263-4, DВІPak (3 Leads + Tab), TO-263AA

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

DDPAK/TO-263-3

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.8 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

200A (Ta), 170A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5070pF @ 30V

Power Dissipation (Max)

250W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 100A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250ВµA

Series

NexFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

44 nC

Время нарастания

4 ns

Время спада

2 ns

Коммерческое обозначение

NexFET

Типичное время задержки выключения

2 ns

Типичное время задержки при включении

6 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

Техническая документация

Datasheet CSD18542KTTT , pdf , 517 КБ

CSD18542KTTT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 200А, 250Вт, D2PAK, NexFET™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 460 руб.

Техническая документация