ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
CSD18531Q5A, MOSFET N-Channel 60V 19A транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Texas Instruments
CSD18531Q5A, MOSFET N-Channel 60V 19A транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
CSD18531Q5A, MOSFET N-Channel 60V 19A транзистор
Последняя цена
420 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments
Информация
Производитель
Texas Instruments
Артикул
CSD18531Q5A
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1818997
Технические параметры
Вес, г
0.4
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SON
Высота
1.1мм
Transistor Material
Кремний
Length
5.8мм
Brand
Texas Instruments
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Серия
NexFET
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
134 A
Maximum Power Dissipation
3,1 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5мм
Maximum Drain Source Resistance
5.8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet CSD18531Q5AT , pdf
, 403 КБ