CSD18513Q5AT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 96Вт, VSONP8 5x6мм, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 40V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD18513Q5AT

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2195373

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Surface Mount

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

250

Серия

CSD18513Q5A

Торговая марка

Texas Instruments

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

96 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

89 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

VSONP-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

CSD18513 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

8-PowerTDFN

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-VSONP (5x6)

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.1 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

124A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4280pF @ 20V

Power Dissipation (Max)

96W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 19A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250ВµA

Series

NexFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

59 nC

Время нарастания

12 ns

Время спада

4 ns

Коммерческое обозначение

NexFET

Типичное время задержки выключения

21 ns

Типичное время задержки при включении

6 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

Техническая документация

Datasheet , pdf , 634 КБ

CSD18513Q5AT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 96Вт, VSONP8 5x6мм - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация