ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
CSD17484F4T, Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Texas Instruments
CSD17484F4T, Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
CSD17484F4T, Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
Последняя цена
55 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор 30V N-Ch FemtoFET МОП-транзистор
Информация
Производитель
Texas Instruments
Артикул
CSD17484F4T
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2412379
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Ширина
0.6 mm
Высота
0.2 mm
Series
FemtoFETв„ў ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
CSD17484 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 8V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.2nC @ 8V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
195pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
3-XFDFN
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
121mOhm @ 500mA, 8V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
3-PICOSTAR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
12V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
3 A
Pd - рассеивание мощности
500 mW
Qg - заряд затвора
920 pC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
128 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
650 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
1 ns
Время спада
4 ns
Длина
1 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
FemtoFET
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
4 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
250
Серия
CSD17484F4
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
11 ns
Типичное время задержки при включении
3 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка / блок
PICOSTAR-3
Manufacturer Product Page
http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1232 КБ