C3M0120100K, МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 1 кВ, 0.12 Ом, 15 В, 2.1 В, WOLFSPEED - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1280 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

N-канал 1000V 22A (Tc) 83W (Tc) сквозное отверстие TO-247-4L

Информация

Производитель

WOLFSPEED

Артикул

C3M0120100K

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2375906

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

83Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1кВ

Непрерывный Ток Стока

22А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.12Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

2.1В

Вес, г

8.815

Линейка Продукции

C3M Series

Series

C3Mв„ў ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

22A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 15V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 600V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-4

Power Dissipation (Max)

83W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 15A, 15V

RoHS Status

RoHS Compliant

Supplier Device Package

TO-247-4L

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

В±15V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet C3M0120100K , pdf , 1062 КБ
Datasheet C3M0120100K , pdf , 1102 КБ

C3M0120100K, МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 1 кВ, 0.12 Ом, 15 В, 2.1 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 1280 руб.

Техническая документация