ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BUV21, Транзистор n-p-n 250В 40A 250Вт TO3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BUV21, Транзистор n-p-n 250В 40A 250Вт TO3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BUV21, Транзистор n-p-n 250В 40A 250Вт TO3
Последняя цена
2490 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT
Биполярный (BJT) транзистор NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BUV21G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2193448
Технические параметры
Вес, г
19.47
Base Product Number
BUV21 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
Current - Collector Cutoff (Max)
3mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 12A, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
8MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65В°C ~ 200В°C (TJ)
Package
Tray
Package / Case
TO-204AE
Power - Max
250W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 3A, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200V
Series
SWITCHMODEв„ў ->
Техническая документация
Datasheet BUV21G , pdf
, 191 КБ
Datasheet BUV21G , pdf
, 109 КБ