ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BUT12AF, SOT186 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BUT12AF, SOT186
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BUT12AF, SOT186
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BUT12AF
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1760043
Технические параметры
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
23
Корпус
to220ab
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
10
Техническая документация
BUT12AF datasheet , pdf
, 80 КБ
