ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BU931T, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
BU931T, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BU931T, Транзистор
Последняя цена
310 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
BU931T
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1807282
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2.041
Transistor Configuration
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Высота
15.75мм
Длина
10.4мм
Ширина
4.6мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.8 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 V
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,5 В
Производитель
STMicroelectronics
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Максимальный непрерывный ток коллектора
10 A
Максимальный запирающий ток коллектора
0.5mA
