ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BTS282Z E3230, MOSFET N-CH + TSENSOR 49V 36A TO220-7 транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BTS282Z E3230, MOSFET N-CH + TSENSOR 49V 36A TO220-7 транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BTS282Z E3230, MOSFET N-CH + TSENSOR 49V 36A TO220-7 транзистор
Последняя цена
840 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon TEMPFET ™ с тепловым переключателем
Infineon TEMPFET ™ - это силовой МОП-транзистор с N-каналом логического уровня со встроенным термодатчиком, который срабатывает, когда температура кристалла превышает 160 ° C. Анод и катод термочувствительного тиристора доступны и изолированы от силового полевого МОП-транзистора.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BTS282Z E3230
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1815879
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
1.25
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.4мм
Высота
15.65мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
49 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
1.4V
Длина
10мм
Серия
TEMPFET
Типичное время задержки выключения
70 нс
Тип корпуса
TO-220
Размеры
10 x 4.4 x 15.65мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
30 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Число контактов
7
Типичный заряд затвора при Vgs
155 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3850 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямая активная межэлектродная проводимость
70с