BSZ520N15NS3 G, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSZ520N15NS3 G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1819433

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

21 А

Максимальное рассеяние мощности

57 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.4мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

52 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

3.4мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

10 нс

Тип корпуса

TSDSON

Размеры

3.4 x 3.4 x 1.1мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

7 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

8,7 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

670 пФ при 75 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 618 КБ

BSZ520N15NS3 G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация