BSZ12DN20NS3G транзистор, MOSFET N-Ch 11.3A 200V Op, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 87 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSZ12DN20NS3G транзистор

P/N

BSZ12DN20NS3G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1818429

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.2

Максимальный непрерывный ток стока

11,3 A

Максимальное рассеяние мощности

50 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.4мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

125 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

3.4мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

10 нс

Тип корпуса

TSDSON

Размеры

3.4 x 3.4 x 1.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

6,5 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

510 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

BSZ12DN20NS3G транзистор, MOSFET N-Ch 11.3A 200V Op - характеристики, поставщики

Последняя цена 87 руб.