BST82.215, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 190мА, 830мВт, SOT23, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 27 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

BST82 - это N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы в пластиковом корпусе для поверхностного монтажа, использующий технологию Trench MOSFET. Подходит для высокоскоростного драйвера линии и преобразователя логического уровня.

• Совместимость на логическом уровне
• Очень быстрое переключение

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BST82.215

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2177594

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel MOSFET

Вес, г

0.02

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

1.4мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Торговая марка

Nexperia

Длина

3мм

Высота

1мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Id - непрерывный ток утечки

190 mA

Pd - рассеивание мощности

830 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BST82 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Производитель

Nexperia

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

190 мА

Максимальное рассеяние мощности

830 мВт

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

25 пФ при 10 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

10 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

190mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

830mW (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 150mA, 5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Series

TrenchMOSв„ў ->

Категория

Мощный МОП-транзистор

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Другие названия товара №

933733110215

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 218 КБ
Datasheet BST82,215 , pdf , 270 КБ
Datasheet , pdf , 368 КБ

BST82.215, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 190мА, 830мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 27 руб.

Техническая документация