ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSS84PH6433XTMA1, Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSS84PH6433XTMA1, Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSS84PH6433XTMA1, Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Последняя цена
5.2 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSS84PH6433XTMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2401660
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Ширина
1.3 mm
Высота
1.1 mm
Series
SIPMOSВ® ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
BSS84 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 10V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
19pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)
360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 170mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20ВµA
Id - непрерывный ток утечки
170 mA
Pd - рассеивание мощности
360 mW
Qg - заряд затвора
1.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
5.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
16.2 ns
Время спада
20.5 ns
Длина
2.9 mm
Другие названия товара №
BSS84P BSS84PH6433XT H6433 SP000924084
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
65 mS
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
10000
Серия
BSS84
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
8.6 ns
Типичное время задержки при включении
6.7 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SOT-23-3
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 139 КБ
Datasheet , pdf
, 276 КБ
Datasheet , pdf
, 210 КБ