BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 1,4А, 500мВт, SOT323, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5.3 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

• N-канальный малосигнальный транзистор Optima ™ -2
• Режим улучшения
• Ультра-логический уровень (номинальное напряжение 1,8 В)
• Уровень защиты от лавин
• Соответствует требованиям AEC Q101

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSS816NWH6327XTSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2133040

Технические параметры

Вес, г

0.02

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

1.25мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

OptiMOS 2

Длина

2мм

Высота

0.8мм

Размеры

2 x 1.25 x 0.8мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Base Product Number

BSS816 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT323-3

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Surface Mount

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

1,4 A

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Minimum Gate Threshold Voltage

0.3V

Максимальное сопротивление сток-исток

240 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

126 пФ при 10 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.4A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 2.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.4A, 2.5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±8V

Vgs(th) (Max) @ Id

0.75V @ 3.7ВµA

Series

OptiMOSв„ў ->

Типичное время задержки выключения

11 ns

Типичное время задержки включения

5,3 нс

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 2,5 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 2.5V

Maximum Gate Threshold Voltage

0.75V

Прямая активная межэлектродная проводимость

4.9S

Прямое напряжение диода

1.1V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 701 КБ
Datasheet BSS816NWH6327XTSA1 , pdf , 183 КБ

BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 1,4А, 500мВт, SOT323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 5.3 руб.

Техническая документация